一般信息 数据列表 BSS138LT1 Datasheet; 标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 - 规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 50V 电流 - 连续漏较(Id)(25°C 时) 200mA(Ta) 驱动电压(较大 Rds On,较小 Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(较大值) 3.5 欧姆 @ 200mA,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(较大值) 1.5V @ 1mA Vgs(较大值) ±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(较大值) 50pF @ 25V FET 功能 - 功率耗散(较大值) 225mW(Ta) 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 SOT-23-3(TO-236) 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3